Amplificateur d'antenne à faible bruit

élecktor juillet/août 1986

La lecture des différents articles répertoriés dans la bibliographie placée à la fin de cet article vous aura donné des informations suffisantes pour la réalisation d’un amplificateur à large bande, une meilleure compréhension de ce que sont le filtrage HF, et les caractéristiques d’intermodulation, aussi n’entre-t-il pas dans nos intentions, dans ce court article, de donner les détails de fonctionnement de cet amplificateur d’antenne à large bande et très très faible bruit, basé sur le fabuleux transistor BFG65, transistor auquel nous avons consacré un applikator (3). Ce transistor possède un facteur de bruit exceptionnellement bas et une réponse en signal plus que satisfaisante, dûs à un courant de collecteur relativement élevé (FdB= 0,8 dB à 5 mA, par exemple).

Dans les articles (1) et (2) nous avons insisté sur les "règles du jeu" à respecter lors de la réalisation de montages HF, aussi ne serez-vous guère étonnés de découvrir une platine dotée d’un large plan de masse. Les composants sont soudés directement sur la surface de cuivre, les trous n’ont d’autre fonction que de servir de points de repère pour l’implantation des composants. L’orifice devant recevoir Tl sera à élargir à5 mm environ pour que ce transistor puisse s’y nicher et que ses connexions soient les plus courtes possible.

Nous avons doté le circuit d’orifices additionnels pour l’adjonction de dispositifs de serrage du câble coaxial.

Les deux circuits (alimentation et partie HF) sont accolés, mais on pourra les séparer s’il était nécessaire de les placer en deux endroits différents, dans le cas d’une antenne sur mât par exemple, où la partie HF est à disposer le plus près possible de l’antenne et l’alimentation de la prise secteur, dans le grenier par exemple. Une solution plus pratique consiste à interrompre le câble coaxial dès son entrée dans l’habitation et à implanter l’ensemble (alimentation + amplificateur) entre les deux extrémités du coaxial. Dans ce cas, l’amplificateur peut être alimenté directement plutôt que par l’âme du câble; on peut dans ce cas supprimer L4, L5, C5 et C6 devenus inutiles. La broche de R5 sans connexion dans ce cas sera reliée à la ligne + 12 V du circuit de l’alimentation.

P1 sert à ajuster le courant de collecteur de T1 à la valeur optimale, comprise entre 5 et 7 mA si l’amplificateur doit amplifier des signaux relativement faibles. Cette valeur de courant de collecteur correspond à une chute de tension comprise entre 2,3 et 3 V aux bornes de R5. On pourra adopter des valeurs de courant plus élevées (10 à 15 mA, chute de tension de 4,6 à 6,1 V respectivement) en cas de réception de deux (ou plus) signaux puissants (locaux) sur la bande 80... 800 MHz.

Si l’on installe l’amplificateur au sommet du mât, il faudra bien évidemment mettre le circuit dans un boîtier étanche après l’avoir recouvert d'aérosol aux silicones pour mettre les soudures à l’abri de la corrosion. Voici les caractéristiques des différentes bobines utilisées dans ce montage, bobines réalisées à l’aide de fil de cuivre émaillé de 0,3 mm de section :

L1 : 8 spires jointives, diamètre intérieur 3mm.
L2 : 4 spires jointives, diamètre intérieur 3 mm.
L3 : 5 spires bobinées sur R4.
L4, L5 : 4 spires effectuées sur une perle de ferrite de 3 mm.

Liste des composants : Résistances : R1 : 1kW 8 R2 : 18kW R3 : 330W R4 : 820W R5 : 470W P1 : 5kW ajustable Condensateurs : C1,C4,C5 : 68pF C2,C3 : 680pF C6 : 1nF C7 : 1µF 16 V C8 : 470µF/25V C9,C10 : 47nF Semiconducteurs : D1 à D4 : 1N4001 T1 : BFG 65 (Philips) IC1 : 78L12 Divers : F1 : fusible 50 mA rapide L1 à L5 : voir texte TR1 : transfo 12 V/50 mA
	Littérature : (1) filtres VHF (EE, mars 1986, page 54 et suivantes) (2) amplificateur VHF (EE, avril 1986, page 21 et suivantes) (3) transistor 1 GHz pour récepteurs d’émissions transmises par satellite (EE, mai 1985, pages 5-18 et 5-19) (4) amplificateur d’antenne (EE, mars 1980, page 3-49 et suivantes) EE : Elektor Electronique !

BFQ65 (pdf) * BFG67 SPICE MODEL * PHILIPS SEMICONDUCTORS * Date : September 1995 * * PACKAGE : SOT143 DIE MODEL : BFQ65 * 1: COLLECTOR; 2: BASE; 3: EMITTER; .SUBCKT BFG67 1 2 3 Q1 6 5 7 7 BFQ65 * SOT 143 parasitic model Lb 4 5 .95n Le 7 8 .4n L1 2 4 .12n L2 1 6 .21n L3 3 8 .06n Ccb 4 6 17f Cbe 4 8 84f * * PHILIPS SEMICONDUCTORS Version: 1.0 * Filename: BFQ65.PRM Date: Feb 1992 * .MODEL BFQ65 NPN + IS = 5.56440E-016 + BF = 1.70000E+002 + NF = 9.94874E-001 + VAF = 4.80334E+001 + IKF = 9.18182E-001 + ISE = 1.04797E-014 + NE = 1.47947E+000 + BR = 1.42108E+002 + NR = 9.94125E-001 + VAR = 2.55564E+000 + IKR = 9.63277E+000 + ISC = 4.38252E-016 + NC = 1.08948E+000 + RB = 1.00000E+001 + IRB = 1.00000E-006 + RBM = 1.00000E+001 + RE = 6.55965E-001 + RC = 2.00000E+000 + EG = 1.11000E+000 + XTI = 3.00000E+000 + CJE = 1.13769E-012 + VJE = 6.00000E-001 + MJE = 2.49462E-001 + TF = 1.19796E-011 + XTF = 2.59987E+001 + VTF = 1.22309E+000 + ITF = 1.97376E-001 + PTF = 1.00348E+001 + CJC = 5.15977E-013 + VJC = 1.55871E-001 .ENDS

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